NUP45V6P5T5G【PDF 2/4 页】TVS QUAD ARRAY LOW CAP SOT-953

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NUP45V6P5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T A = 25 ° C unless otherwise noted)

Symbol Parameter

I PP

Maximum Reverse Peak Pulse Current

V C

Clamping Voltage @ I PP

I F

I R V F

V RWM

I R

Working Peak Reverse Voltage

Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM

V C V BR V RWM

I T

V BR

I T

Breakdown Voltage @ I T

Test Current

Q V BR

I F

V F

Z ZT

I ZK

Z ZK

Maximum Temperature Coefficient of V BR

Forward Current

Forward Voltage @ I F

Maximum Zener Impedance @ I ZT

Reverse Current

Maximum Zener Impedance @ I ZK

I PP

Uni ? Directional

MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)

Characteristic

Thermal Resistance Junction ? to ? Ambient

Above 25 ° C, Derate

Maximum Junction Temperature

Operating Junction and Storage Temperature Range

Lead Solder Temperature (10 seconds duration)

Human Body Model (HBM)

Machine Model (MM)

Symbol

R q JA

T Jmax

T J T stg

T L

ESD

Value

560

4.5

150

? 55 to +150

260

8000

400

Unit

° C/W

mW/ ° C

° C

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the

Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect

device reliability.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)

Device

Breakdown Voltage

V BR @ 1 mA (Volts)

Leakage Current

I RM @ V RM

Typ Capacitance

@ 0 V Bias (pF)

(Note 1)

Typ Capacitance

@ 3 V Bias (pF)

(Note 1)

V C (V)

@ I PP = 1 A

(Note 2)

Device

NUP45V6P5

Marking

Min

5.3

Nom

5.6

Max

5.9

V RWM

3.0

I RWM ( m A)

1.0

Typ

Max

Typ

7.0

Max

11.5

Max

10.5

1. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, T A = 25 ° C.

2. Surge current waveform per Figure 3.

http://onsemi.com

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NUP46V8P5 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Capacitance Quad Array for ESD Protection

NUP46V8P5T5G 功能描述:TVS二极管阵列 HANA SEMI TH2 SOT953 RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

NUP5120/D 制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:5-Line Transient Voltage Suppressor Array

NUP5120X6 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5−Line Transient Voltage Suppressor Array

NUP5120X6T1 功能描述:TVS二极管阵列 5 Line Suppressor RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

NUP5120X6T1G 功能描述:TVS二极管阵列 5 Line Suppressor Array RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

NUP5120X6T2 功能描述:TVS二极管阵列 5 Line Suppressor RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

NUP5120X6T2G 功能描述:TVS二极管阵列 5 Line Suppressor Array RoHS:否制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C

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